2012/10/6 09:45:03作者:佚名來源:網(wǎng)絡(luò)
在前面我們給大家講解了許多關(guān)于內(nèi)存方面的知識,今天學(xué)無憂小編接著給大家講解電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識,讓大家對內(nèi)存方面有一個更深的認(rèn)識。具體電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識內(nèi)容如下:
內(nèi)存是計算機中重要的部件之一,它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的,因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。 內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器,其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中,CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算,當(dāng)運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來,內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。
一、DIMM
Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條,DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道,因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳,故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些,并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言,適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外),適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片),二者不能混合使用。
二、DDR內(nèi)存
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。有184針的DDR內(nèi)存(DDR SDRAM)
SDRAM 內(nèi)存條
芯片和模塊
標(biāo)準(zhǔn)名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率
DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列傳輸 PC-1600 1600 MB/s
DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列傳輸 PC-2100 2100 MB/s
DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列傳輸 PC-2700 2700 MB/s
DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列傳輸 PC-3200 3200 MB/s
利用下列公式,就可以計算出DDR SDRAM時脈。
DDR I/II內(nèi)存運作時脈:實際時脈*2。(由于兩筆資料同時傳輸,200MHz內(nèi)存的時脈會以400MHz運作。)
內(nèi)存帶寬=內(nèi)存速度*8 Byte
標(biāo)準(zhǔn)公式:內(nèi)存除頻系數(shù)=時脈/200→*速算法:外頻*(除頻頻率/同步頻率)(使用此公式將會導(dǎo)致4%的誤差)
三、DDR2內(nèi)存
DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說,DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。DDR2接口為240pin DIMM結(jié)構(gòu)。金手指每面有120pin,與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口。但是卡口的位置與DDR內(nèi)存不同,因此DDR內(nèi)存條是插不進DDR2內(nèi)存條的插槽里面的。因此不用擔(dān)心插錯的問題。一款裝有散熱片的DDR2 1G內(nèi)存條
DDR內(nèi)存插槽
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運行于1.8V 電壓上,從而進一步降低發(fā)熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令,提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看,針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝,內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。
各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)
標(biāo)準(zhǔn)名稱 I/O 總線時鐘頻率 周期 存儲器時鐘頻率 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模塊名稱 極限傳輸率 位寬
DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行傳輸 PC2-3200 3200MB/s 64位
DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行傳輸 PC2-4200 PC2-4300 4266 MB/s 64 位
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行傳輸 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行傳輸 PC2-6400 6400 MB/s 64 位
DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行傳輸 PC2-8500 PC2-8600 8533 MB/s 64 位
現(xiàn)時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200,但必須在高電壓下運作,以維持其穩(wěn)定性。
四、DDR3內(nèi)存條
DDR3是一種電腦內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品。
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓, 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度,由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
A-DATA出品的DDR3內(nèi)存條(DDR SDRAM)
各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)
標(biāo)準(zhǔn)名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率 位元寬
DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列傳輸 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元
DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列傳輸 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元
DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列傳輸 PC3-10600 10.6 GiB/s 64 位元
DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列傳輸 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元
DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列傳輸 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元
DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列傳輸 PC3-17000 64 位元
DDR2和DDR3的區(qū)別
1、突發(fā)長度(Burst Length,BL):由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
2、尋址時序(Timing):就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0~4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
3、DDR3新增的重置(Reset)功能:重置是DDR3新增的一項重要功能,并為此專門準(zhǔn)備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時,DDR3內(nèi)存將停止所有操作,并切換至最少量活動狀態(tài),以節(jié)約電力。 在Reset期間,DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位,DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。
4、DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能:ZQ也是一個新增的腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準(zhǔn)引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應(yīng)的時鐘周期(在加電與初始化之后用512個時鐘周期,在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期)對導(dǎo)通電阻和ODT電阻進行重新校準(zhǔn)。
5、參考電壓分成兩個:在DDR3系統(tǒng)中,對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號,即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。
6、點對點連接(Point-to-Point,P2P):這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動,也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道,而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽,因此,內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組),或者是點對雙點(Point-to-two-Point,P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分,其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級內(nèi)存緩沖器)。 面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢,此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動設(shè)備的歡迎,就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域,DDR3未來也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。
以上就是有關(guān)電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識的相關(guān)內(nèi)容,希望對你有所幫助!
標(biāo)簽: 內(nèi)存 主板 硬盤
相關(guān)文章
金山數(shù)據(jù)恢復(fù)大師官方版 v1.0.0.2
詳情南方測繪Cass10v10.1.6中文
詳情revit 2017
詳情KeyShot Pro 9中文(附安裝教程) v9.0.286
詳情網(wǎng)易新聞客戶端v105.3
詳情AIMP4v5.11.2421中文綠色美化版
詳情onekey一鍵還原v18.0.18.1008
詳情浩辰CAD2020綠色v20.0
詳情好圖網(wǎng)圖標(biāo)轉(zhuǎn)換工具v4.9.7
詳情Adobe indesign cs6
詳情aardiov35.0.0中文最新版
詳情Adobe Creative Cloud 2024簡體中文v5.3.0.48
詳情暴風(fēng)影音16 v9.04.1029去廣告精簡版
詳情ASP.NET Maker 2019(ASP.NET代碼生成工具)v12.0.4.0
詳情暴風(fēng)影音v5.92.0824.1111
詳情迅雷5穩(wěn)定版v5.8.14.706
詳情使命召喚17官方中文版 v1.0
詳情死亡之雨新的僵尸病毒中文v1.0綠色免安裝版
詳情輻射4v1.7.15.0整合版
詳情克莉2v1.0中文版
詳情冬日計劃v1.2中文版
詳情刺客信條英靈殿v1.0吾愛
詳情刺客信條英靈殿終極v1.0免安裝
詳情動物森友會v1.10.0最新
詳情哈迪斯殺出地獄v1.37中文
詳情嗜血印中文豪華版v1.0豪華版 附游戲攻略秘籍
詳情城市戰(zhàn)斗v1.0中文
詳情尼爾人工生命v1.0steam免費
詳情尼爾人工生命升級版v1.0PC
詳情層層恐懼2中文v1.0綠色免安裝版
詳情往日不再v1.0 steam
詳情往日不再v1.0pc
詳情小生活游戲內(nèi)置MOD版v2.0(57)安卓版
詳情使命召喚手游測試服最新版v1.9.41安卓版
詳情三國謀定天下官服v1.2.1安卓版
詳情熱血新手村高爆版v1.0.0安卓版
詳情我養(yǎng)你啊手機版v1.0.0安卓版
詳情看懂了就很恐怖的故事(細(xì)思極恐)中文版v1.0安卓版
詳情背包英雄中文手機版v1.1.1安卓版
詳情glow官方版v2.0.9安卓版
詳情三國大時代4霸王立志官方正版v1.9安卓版
詳情飛盧小說閱讀器手機版v7.0.7安卓版
詳情牛?;浾Z詞典軟件v20.4.4安卓版
詳情PrettyUp視頻美化瘦身軟件v2.3.0
詳情化學(xué)方程式app中文版v1.1.0.20安卓版
詳情地下城堡3魂之詩2024安卓最新版v1.2.3安卓版
詳情南方都市報v6.10.0安卓版
詳情阿修羅之眼正版v1.0.10安卓版
詳情